Полевые транзисторы (FET) являются популярным выбором для усилителей благодаря их высокому входному сопротивлению, низкому уровню шума и простоте использования. Китай усилители на полевых транзисторах схема часто используются в аудиоусилителях, радиочастотных усилителях и других электронных устройствах. Эта статья предоставит подробное руководство по проектированию, сборке и отладке усилителей на полевых транзисторах, поможет понять основные принципы работы и избежать распространенных ошибок.
Полевой транзистор (FET) – это полупроводниковый прибор, в котором ток между истоком (Source) и стоком (Drain) управляется напряжением, приложенным к затвору (Gate). В отличие от биполярных транзисторов, FET являются устройствами, управляемыми напряжением, а не током. Существуют два основных типа полевых транзисторов: полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) и полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET). MOSFET-транзисторы, в свою очередь, делятся на канальные и комплементарные (CMOS).
Существует несколько распространенных схем усилителей на FET, каждая из которых имеет свои особенности и применение:
Схема с общим истоком – это базовая конфигурация усилителя на FET, обеспечивающая усиление по напряжению. Входной сигнал подается на затвор, а выходной сигнал снимается со стока. Эта схема характеризуется высоким входным сопротивлением и умеренным выходным сопротивлением.
Схема с общим стоком, также известная как истоковый повторитель, имеет единичное усиление по напряжению и высокое входное сопротивление. Она часто используется в качестве буферного каскада для согласования импедансов.
Схема с общим затвором имеет низкое входное сопротивление и высокое выходное сопротивление. Она часто используется в радиочастотных усилителях и других высокочастотных приложениях.
Проектирование усилителя на полевом транзисторе включает в себя несколько этапов:
Вот пример простой схемы усилителя с общим истоком на MOSFET-транзисторе:
В этой схеме:
При выборе FET для усилителя следует обратить внимание на следующие параметры: напряжение сток-исток (Vds), ток стока (Id), крутизну характеристики (gm) и входную емкость (Ciss). Вот несколько популярных моделей полевых транзисторов:
При отладке усилителя на полевом транзисторе следует обратить внимание на следующие моменты:
Модель | Тип | Vds (макс.) | Id (макс.) | Применение |
---|---|---|---|---|
2N7000 | MOSFET | 60V | 200mA | Маломощные усилители |
BS170 | MOSFET | 60V | 500mA | Усилители общего назначения |
J201 | JFET | 35V | 20mA | Усилители с низким уровнем шума |
IRF510 | MOSFET | 100V | 5.6A | Мощные усилители |
Данные взяты из документации производителей соответствующих компонентов.
Китай усилитель на полевых транзисторах схема – это отличный выбор для радиолюбителей и инженеров, занимающихся разработкой электронных устройств. Понимание основных принципов работы и правильный выбор компонентов позволит создать эффективный и надежный усилитель. Компания Sichuan Microvelo Semiconductor Co.,LTD предлагает широкий ассортимент полупроводниковых компонентов для различных применений. Изучайте, экспериментируйте, и вы обязательно достигнете успеха в создании собственных усилителей на полевых транзисторах.